类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

工作温度范围

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

NTC热敏电阻

输入电容(Cies)@Vce

产品

高度

长度

宽度

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FP20R06W1E3BOMA1
FP20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

5 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

23

SILICON

27A

7

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

23

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

23

不合格

三相逆变器

ISOLATED

94W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

37 ns

2V @ 15V, 20A

250 ns

沟渠现场停车

有

1.1nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FF600R17ME4BOSA1
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2512 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

2

-40°C~150°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X11

2 Independent

Dual

ISOLATED

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1700V

320 ns

2.3V @ 15V, 600A

980 ns

沟渠现场停车

有

48nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP50R12KT4BOSA1
FP50R12KT4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

22 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

7

50A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

23

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

23

R-XUFM-X23

不合格

三相逆变器

ISOLATED

280W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

210 ns

2.25V @ 15V, 50A

620 ns

沟渠现场停车

有

2.8nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP15R06W1E3BOMA1
FP15R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

23

SILICON

22A

7

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

23

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

23

不合格

三相逆变器

ISOLATED

81W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

29 ns

2V @ 15V, 15A

260 ns

沟渠现场停车

有

830pF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP40R12KE3GBOSA1
FP40R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies 数据表

30 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

7

55A

-40°C~125°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

210W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

135 ns

2.3V @ 15V, 40A

610 ns

沟渠现场停车

有

2.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FS100R12PT4BOSA1
FS100R12PT4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2206 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

26 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

6

135A

-40°C~150°C

no

活跃

1 (Unlimited)

13

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

未说明

20

R-XUFM-X13

不合格

三相逆变器

ISOLATED

500W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

190 ns

2.15V @ 15V, 100A

600 ns

沟渠现场停车

有

6.3nF @ 25V

符合RoHS标准

FF400R06KE3HOSA1
FF400R06KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

500A

2

-40°C~150°C TJ

2002

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

7

R-XUFM-X7

半桥

Dual

ISOLATED

1250W

不含卤素

Standard

5mA

600V

190 ns

1.9V @ 15V, 400A

600 ns

沟渠现场停车

无

ROHS3 Compliant

无铅

FP75R12KT4BOSA1
FP75R12KT4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

62 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

7

75A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

385W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

210 ns

2.25V @ 15V, 75A

620 ns

沟渠现场停车

有

4.3nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP100R12KT4BOSA1
FP100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

10 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

7

100A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

515W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

210 ns

2.2V @ 15V, 100A

620 ns

沟渠现场停车

有

6.3nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APT200GN60J
APT200GN60J
Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOT-227-4

Details

600 V

682 W

1.5 V

283 A

- 55 C

+ 175 C

600 nA

20 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

Single

- 55 C to + 175 C

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

FS50R06W1E3BOMA1
FS50R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

29 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Tin

Screw

底座安装

Module

18

SILICON

1.45V

600V

6

-40°C~150°C

2002

EasyPACK™ 1B

no

活跃

1 (Unlimited)

15

EAR99

205W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

22

R-XUFM-X15

不合格

三相逆变器

ISOLATED

205W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

600V

70A

1mA

250 ns

1.9V @ 15V, 50A

370 ns

沟渠现场停车

有

95pF @ 25V

12mm

62.8mm

33.8mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

含铅

FP25R12KE3BOSA1
FP25R12KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

40A

7

-40°C~125°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

24

不合格

三相逆变器

ISOLATED

155W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

135 ns

2.15V @ 15V, 25A

610 ns

沟渠现场停车

有

1.8nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

F3L150R07W2E3B11BOMA1
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

11 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

底座安装

Module

150A

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

EAR99

未说明

未说明

三相逆变器

335W

不含卤素

Standard

1mA

650V

1.9V @ 15V, 150A

沟渠现场停车

有

9.3nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP15R12W1T4BOMA1
FP15R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

23

SILICON

1.85V

1.2kV

7

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

23

EAR99

130W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

23

不合格

三相逆变器

ISOLATED

130W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

28A

1mA

1200V

120 ns

2.25V @ 15V, 15A

495 ns

沟渠现场停车

有

890pF @ 25V

无SVHC

符合RoHS标准

FF300R12KT3HOSA1
FF300R12KT3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2544 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2

480A

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

不适用

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X7

2 Independent

Dual

ISOLATED

1450W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

215 ns

2.15V @ 15V, 300A

680 ns

沟渠现场停车

无

21nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

FF900R12IE4BOSA1
FF900R12IE4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2031 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

Screw

底座安装

Module

10

SILICON

2.05V

1.2kV

2

-40°C~150°C TJ

2002

PrimePack™2

no

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

5.1kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X7

不合格

Single

Dual

5.1kW

ISOLATED

5100W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

900A

5mA

1200V

350 ns

2.05V @ 15V, 900A

940 ns

沟渠现场停车

有

54nF @ 25V

38mm

172mm

89mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

FF400R17KE4HOSA1
FF400R17KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2898 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

400A

2

-40°C~150°C

2002

C

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

R-XUFM-X7

半桥

ISOLATED

Standard

1mA

1700V

320 ns

2.3V @ 15V, 400A

850 ns

沟渠现场停车

无

36nF @ 25V

ROHS3 Compliant

FF300R12KE3HOSA1
FF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2719 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Tin

Screw

底座安装

Module

7

SILICON

1.7V

1.2kV

440A

2

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

不适用

7

EAR99

1.45kW

UPPER

UNSPECIFIED

7

2 Independent

Dual

1.45kW

ISOLATED

1450W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

480A

5mA

1200V

400 ns

2.15V @ 15V, 300A

830 ns

沟渠现场停车

无

21nF @ 25V

30.9mm

106.4mm

61.4mm

无SVHC

符合RoHS标准

FZ800R12KE3HOSA1
FZ800R12KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

底座安装

Module

4

SILICON

1

-40°C~125°C TJ

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

5

Single

ISOLATED

3550W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

800A

5mA

1200V

440 ns

2.15V @ 15V, 800A

1000 ns

沟渠现场停车

无

56nF @ 25V

36.5mm

106.4mm

61.4mm

ROHS3 Compliant

FF600R12ME4B11BPSA1
FF600R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

2

-40°C~150°C

2002

不用于新设计

不适用

11

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X11

2 Independent

Dual

ISOLATED

4050W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3mA

1200V

310 ns

2.1V @ 15V, 600A

770 ns

沟渠现场停车

有

37nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP75R06KE3BOSA1
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

200 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

7

95A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

24

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

24

R-XUFM-X24

不合格

三相逆变器

ISOLATED

250W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

170 ns

1.9V @ 15V, 75A

760 ns

沟渠现场停车

有

4.6nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF900R12IP4BOSA2
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies 数据表

2635 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

10

SILICON

900A

2

-40°C~150°C TJ

2002

PrimePack™2

no

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X7

不合格

Single

Dual

ISOLATED

5100W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

370 ns

2.05V @ 15V, 900A

1300 ns

沟渠现场停车

有

54nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

APT85GR120JD60
APT85GR120JD60
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

ISOTOP-4

SOT-227

Details

1200 V

595 W

3.5 V

118 A

- 55 C

+ 150 C

250 nA

30 V

SMD/SMT

微芯片技术

1

Tube

116 A

APT85GR120

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

595

543 W

Standard

1.1 mA

1200 V

3.2V @ 15V, 85A

118

NPT

无

8.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FF200R12KS4HOSA1
FF200R12KS4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2715 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

Screw

底座安装

Module

7

SILICON

3.2V

1.2kV

2

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

FAST

UPPER

UNSPECIFIED

7

2 Independent

Dual

1.4kW

ISOLATED

1400W

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

275A

5mA

1200V

180 ns

3.7V @ 15V, 200A

590 ns

无

13nF @ 25V

符合RoHS标准

FF200R17KE4HOSA1
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2915 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

7

SILICON

310A

2

-40°C~150°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X5

NPN

2 Independent

Dual

ISOLATED

1250W

电源控制

不含卤素

Standard

1mA

1700V

365 ns

2.3V @ 15V, 200A

1400 ns

沟渠现场停车

无

18nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅