APT200GN60J
APT200GN60J

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Atmel (Microchip Technology) APT200GN60J

  • 收藏
  • 对比

型号

APT200GN60J

utmel 编号

225-APT200GN60J

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227View in Development Tools Selector

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
APT200GN60J
APT200GN60J Atmel (Microchip Technology) IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227View in Development Tools Selector

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

APT200GN60J详情

Atmel (Microchip Technology) APT200GN60J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    SOT-227-4

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    600 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.5 V

  • Continuous Collector Current at 25 C

    283 A

  • Gate-Emitter Leakage Current

    600 nA

  • Pd - Power Dissipation

    682 W

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    20 V

  • Mounting Styles

    底座安装

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Tradename

    ISOTOP

  • Unit Weight

    1.058219 oz

  • 包装

    Tube

  • 配置

    Single

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 175 C

  • 产品

    IGBT硅模块

  • 高度

    9.6 mm

  • 长度

    38.2 mm

  • 宽度

    25.4 mm

0个相似型号

APT200GN60J拓展信息

APTGT30H60T1G
APTGT30H60T1G

Atmel (Microchip Technology)

APT60GT60JR
APT60GT60JR

Atmel (Microchip Technology)

APT60GT60JRDQ3
APT60GT60JRDQ3

Atmel (Microchip Technology)

APTGT35X120T3G
APTGT35X120T3G

Atmel (Microchip Technology)

APT60GT60JRD
APT60GT60JRD

Atmel (Microchip Technology)

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z