类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

正向电流

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

工作温度范围

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

栅极-发射极Thr电压-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FF300R17KE4HOSA1
FF300R17KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

3000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

7

SILICON

2

440A

-40°C~150°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X5

NPN

2 Independent

Dual

ISOLATED

1800W

电源控制

不含卤素

Standard

1mA

1700V

1800W

355 ns

2.3V @ 15V, 300A

930 ns

沟渠现场停车

无

20V

24.5nF @ 25V

2.3 V

符合RoHS标准

无铅

FF600R12ME4AB11BOSA1
FF600R12ME4AB11BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2359 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

26 Weeks

底座安装

Module

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

2 Independent

Dual

3350W

不含卤素

Standard

3mA

1200V

2.1V @ 15V, 600A

沟渠现场停车

有

37nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

F3L300R07PE4BOSA1
F3L300R07PE4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2310 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

300A

4

-40°C~150°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

20

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

20

R-XUFM-X20

三级逆变器

ISOLATED

940W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

650V

190 ns

1.95V @ 15V, 300A

600 ns

沟渠现场停车

有

18.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FS820R08A6P2LBBPSA1
FS820R08A6P2LBBPSA1
Infineon Technologies 数据表

2858 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

39 Weeks

底座安装

Module

Module

820A

175°C TJ

2006

活跃

1 (Unlimited)

三相逆变器

Standard

沟渠现场停车

无

ROHS3 Compliant

APT150GN120JDQ4
APT150GN120JDQ4
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

1.7 V

215 A

600 nA

微芯片技术

1.058219 oz

Tube

215 A

APT150

活跃

Details

1.2 kV

625 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

底座安装

1

ISOTOP

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

625

625 W

Standard

- 55 C to + 150 C

300 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 150A

215

沟渠现场停车

无

9.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

FS75R12KT3GBOSA1
FS75R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies 数据表

45 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

100A

6

-40°C~125°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

355W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

340 ns

2.15V @ 15V, 75A

610 ns

沟渠现场停车

有

5.3nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FS25R12W1T4BOMA1
FS25R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

53 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Tin

Screw

底座安装

Module

18

SILICON

1.85V

1.2kV

6

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

23

EAR99

205W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

23

R-XUFM-X23

不合格

三相逆变器

ISOLATED

205W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

45A

1mA

1200V

80 ns

2.25V @ 15V, 25A

505 ns

沟渠现场停车

有

1.45nF @ 25V

12mm

62.8mm

33.8mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

FF1400R12IP4BOSA1
FF1400R12IP4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

692 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

50 Weeks

底座安装

Module

NO

12

SILICON

2

1400A

-40°C~150°C

2002

PrimePACK™3

no

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

13

R-XUFM-X7

不合格

2 Independent

Dual

ISOLATED

765000W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

340 ns

2.05V @ 15V, 1400A

1200 ns

沟渠现场停车

有

82nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FD200R12KE3HOSA1
FD200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2067 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

1

-40°C~125°C

2012

yes

活跃

不适用

5

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

5

R-XUFM-X5

单斩波器

ISOLATED

1050W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

400 ns

2.15V @ 15V, 200A

830 ns

沟渠现场停车

无

14nF @ 25V

Non-RoHS Compliant

无铅

IXDN55N120D1
IXDN55N120D1
IXYS 数据表

1000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

28 Weeks

Chassis Mount, Screw, Surface Mount

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

4

38.000013g

SILICON

2.3V

500 ns

1.2kV

1

-40°C~150°C TJ

2007

yes

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

Nickel (Ni)

UL 认证

450W

UPPER

UNSPECIFIED

4

Single

ISOLATED

100 ns

450W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

100A

3.8mA

1200V

3.3nF

170 ns

2.8V @ 15V, 55A

570 ns

NPT

无

20V

3.3nF @ 25V

6.5V

9.6mm

38.2mm

25.07mm

ROHS3 Compliant

无铅

FZ600R17KE3HOSA1
FZ600R17KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2028 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

4

SILICON

1

840A

-40°C~125°C TJ

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

5

R-XUFM-X3

Single

ISOLATED

3150W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3mA

1700V

400 ns

2.45V @ 15V, 600A

1200 ns

沟渠现场停车

无

54nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

APTGT75SK120TG
APTGT75SK120TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

SP4

1.7 V

110 A

400 nA

微芯片技术

110 A

APTGT75

活跃

3.880136 oz

1

底座安装

20 V

+ 125 C

- 40 C

357 W

1.2 kV

Details

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

357 W

Standard

250 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 75A

110

沟渠现场停车

有

5.34 nF @ 25 V

IGBT硅模块

F475R12KS4BOSA1
F475R12KS4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

24

SILICON

4

-40°C~125°C

2002

活跃

不适用

24

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

三相逆变器

ISOLATED

500W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

100A

5mA

1200V

190 ns

3.75V @ 15V, 75A

390 ns

有

5.1nF @ 25V

符合RoHS标准

FP50R06KE3BOSA1
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

7

60A

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

24

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

24

不合格

三相逆变器

ISOLATED

190W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

170 ns

1.9V @ 15V, 50A

760 ns

沟渠现场停车

有

3.1nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP75R12KT4B15BOSA1
FP75R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2280 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

Screw

底座安装

Module

34

SILICON

2.15V

75A

7

-40°C~150°C

2014

活跃

不适用

35

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X35

三相逆变器

385W

ISOLATED

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

1mA

1200V

210 ns

2.15V @ 15V, 75A

620 ns

沟渠现场停车

有

4.3nF @ 25V

符合RoHS标准

APTGT50X60T3G
APTGT50X60T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP-3

NO

SP3

25

SILICON

Details

600 V

176 W

1.5 V

80 A

- 40 C

+ 175 C

600 nA

20 V

底座安装

1

7.863095 oz

微芯片技术

Bulk

80 A

APTGT50

活跃

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

170 ns

310 ns

未说明

175 °C

有

APTGT50X60T3G

RECTANGULAR

6

活跃

MICROSEMI CORP

5.71

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

25

R-XUFM-X25

不合格

3-Phase Inverter

176

ISOLATED

176 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

- 40 C to + 175 C

250 µA

600 V

176 W

1.9V @ 15V, 50A

80 A

80

沟渠现场停车

600 V

有

20 V

3.15 nF @ 25 V

1.9 V

IGBT硅模块

11.5 mm

73.4 mm

40.8 mm

FS30R06W1E3BOMA1
FS30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

18

SILICON

6

60A

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

15

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

22

R-XUFM-X15

不合格

三相逆变器

ISOLATED

150W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

52 ns

2V @ 15V, 30A

355 ns

沟渠现场停车

有

1.65nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FP25R12KT3BOSA1
FP25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

40A

7

-40°C~125°C

2002

no

活跃

不适用

24

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

24

R-XUFM-X24

不合格

三相逆变器

ISOLATED

155W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

140 ns

2.15V @ 15V, 25A

610 ns

有

1.8nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FZ1600R17KE3NOSA1
FZ1600R17KE3NOSA1
Infineon Technologies 数据表

624 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2300A

2

-40°C~125°C TJ

2002

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

not_compliant

未说明

7

R-XUFM-X7

不合格

三相逆变器

ISOLATED

8950W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1700V

750 ns

2.45V @ 15V, 600A

1770 ns

NPT

有

145nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

APTGT300H60G
APTGT300H60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

NO

12

SP6

12

SILICON

Details

600 V

1.15 kW

1.4 V

430 A

- 40 C

+ 100 C

500 nA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

430 A

APTGT300

活跃

8541290080, 8541500080/8541500080/8541500080/8541500080/8541500080

600 V

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

170 ns

320 ns

未说明

175 °C

有

APTGT300H60G

RECTANGULAR

4

活跃

MICROSEMI CORP

5.19

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

175 °C

-40 °C

雪崩 额定

1.15 kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

12

R-XUFM-X12

不合格

全桥

1.15

ISOLATED

1150 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

600 V

430 A

350 µA

600 V

24 nF

1.8V @ 15V, 300A

430 A

430

沟渠现场停车

600 V

无

24 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

FS75R12KT4B11BOSA1
FS75R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

75A

6

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

25

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X25

三相逆变器

ISOLATED

385W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 75A

490 ns

沟渠现场停车

有

4.3nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FP40R12KE3BOSA1
FP40R12KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

7

55A

-40°C~125°C

2013

no

活跃

不适用

24

EAR99

UPPER

WIRE

未说明

未说明

24

不合格

NPN

三相逆变器

200W

ISOLATED

210W

40A

电源控制

不含卤素

Standard

1mA

1200V

140 ns

2.3V @ 15V, 40A

610 ns

沟渠现场停车

有

2.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF600R06ME3BOSA1
FF600R06ME3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2905 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Screw

底座安装

Module

11

SILICON

1.9V

2

-40°C~150°C

2002

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

11

2 Independent

Dual

1.65kW

ISOLATED

1650W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

600V

700A

5mA

220 ns

1.9V @ 15V, 600A

805 ns

沟渠现场停车

有

39nF @ 25V

无

符合RoHS标准

含铅

APT150GN60JDQ4
APT150GN60JDQ4
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

1.5 V

220 A

600 nA

微芯片技术

1.058219 oz

Tube

220 A

APT150

活跃

Details

600 V

536 W

- 55 C

+ 175 C

30 V

底座安装

1

ISOTOP

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

536

536 W

Standard

- 55 C to + 175 C

50 µA

600 V

1.85V @ 15V, 150A

220

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

APTGL60DDA120T3G
APTGL60DDA120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

16

SP3

1.85 V

80 A

400 nA

微芯片技术

活跃

1.2 kV

Details

1.2 kV

280 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

5.783519 oz

Bulk

80 A

APTGL60

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

280 W

Dual

Dual

280 W

Standard

1.2 kV

80 A

250 µA

1200 V

2.77 nF

2.25V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

2.77 nF @ 25 V

IGBT硅模块