类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 正向电流 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 工作温度范围 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FF300R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 7 | SILICON | 2 | 440A | -40°C~150°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X5 | NPN | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1800W | 电源控制 | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1700V | 1800W | 355 ns | 2.3V @ 15V, 300A | 930 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 24.5nF @ 25V | 2.3 V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME4AB11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2359 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | 底座安装 | Module | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 Independent | Dual | 3350W | 不含卤素 | Standard | 3mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 600A | 沟渠现场停车 | 有 | 37nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2310 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 300A | 4 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 20 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 20 | R-XUFM-X20 | 三级逆变器 | ISOLATED | 940W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 650V | 190 ns | 1.95V @ 15V, 300A | 600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS820R08A6P2LBBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2858 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 39 Weeks | 底座安装 | Module | Module | 820A | 175°C TJ | 2006 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 三相逆变器 | Standard | 沟渠现场停车 | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT150GN120JDQ4 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | ISOTOP® | 1.7 V | 215 A | 600 nA | 微芯片技术 | 1.058219 oz | Tube | 215 A | APT150 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 625 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | 底座安装 | 1 | ISOTOP | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 625 | 625 W | Standard | - 55 C to + 150 C | 300 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 150A | 215 | 沟渠现场停车 | 无 | 9.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KT3GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 45 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 100A | 6 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 355W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 5.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS25R12W1T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 53 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Tin | Screw | 底座安装 | Module | 18 | SILICON | 1.85V | 1.2kV | 6 | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 23 | EAR99 | 205W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 23 | R-XUFM-X23 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 205W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 45A | 1mA | 1200V | 80 ns | 2.25V @ 15V, 25A | 505 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | 12mm | 62.8mm | 33.8mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1400R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 692 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 12 | SILICON | 2 | 1400A | -40°C~150°C | 2002 | PrimePACK™3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 13 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 765000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.05V @ 15V, 1400A | 1200 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 82nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2067 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1 | -40°C~125°C | 2012 | yes | 活跃 | 不适用 | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X5 | 单斩波器 | ISOLATED | 1050W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 200A | 830 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 14nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXDN55N120D1 | IXYS | 数据表 | 1000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 28 Weeks | Chassis Mount, Screw, Surface Mount | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 38.000013g | SILICON | 2.3V | 500 ns | 1.2kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2007 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Nickel (Ni) | UL 认证 | 450W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 100 ns | 450W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 100A | 3.8mA | 1200V | 3.3nF | 170 ns | 2.8V @ 15V, 55A | 570 ns | NPT | 无 | 20V | 3.3nF @ 25V | 6.5V | 9.6mm | 38.2mm | 25.07mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ600R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2028 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 4 | SILICON | 1 | 840A | -40°C~125°C TJ | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X3 | Single | ISOLATED | 3150W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 400 ns | 2.45V @ 15V, 600A | 1200 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 54nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75SK120TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 微芯片技术 | 110 A | APTGT75 | 活跃 | 3.880136 oz | 1 | 底座安装 | 20 V | + 125 C | - 40 C | 357 W | 1.2 kV | Details | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 357 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 75A | 110 | 沟渠现场停车 | 有 | 5.34 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F475R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 24 | SILICON | 4 | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 500W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 100A | 5mA | 1200V | 190 ns | 3.75V @ 15V, 75A | 390 ns | 有 | 5.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 24 | SILICON | 7 | 60A | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 24 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 190W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 170 ns | 1.9V @ 15V, 50A | 760 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP75R12KT4B15BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2280 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 34 | SILICON | 2.15V | 75A | 7 | -40°C~150°C | 2014 | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X35 | 三相逆变器 | 385W | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 1mA | 1200V | 210 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 4.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50X60T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP-3 | NO | SP3 | 25 | SILICON | Details | 600 V | 176 W | 1.5 V | 80 A | - 40 C | + 175 C | 600 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 7.863095 oz | 微芯片技术 | Bulk | 80 A | APTGT50 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 170 ns | 310 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGT50X60T3G | RECTANGULAR | 6 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.71 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 25 | R-XUFM-X25 | 不合格 | 3-Phase Inverter | 176 | ISOLATED | 176 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | - 40 C to + 175 C | 250 µA | 600 V | 176 W | 1.9V @ 15V, 50A | 80 A | 80 | 沟渠现场停车 | 600 V | 有 | 20 V | 3.15 nF @ 25 V | 1.9 V | IGBT硅模块 | 11.5 mm | 73.4 mm | 40.8 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS30R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 1 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 18 | SILICON | 6 | 60A | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 22 | R-XUFM-X15 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 150W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 52 ns | 2V @ 15V, 30A | 355 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.65nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 40A | 7 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 24 | R-XUFM-X24 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 155W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 140 ns | 2.15V @ 15V, 25A | 610 ns | 有 | 1.8nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1600R17KE3NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 624 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2300A | 2 | -40°C~125°C TJ | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | not_compliant | 未说明 | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 8950W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 750 ns | 2.45V @ 15V, 600A | 1770 ns | NPT | 有 | 145nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300H60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | NO | 12 | SP6 | 12 | SILICON | Details | 600 V | 1.15 kW | 1.4 V | 430 A | - 40 C | + 100 C | 500 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | 430 A | APTGT300 | 活跃 | 8541290080, 8541500080/8541500080/8541500080/8541500080/8541500080 | 600 V | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 170 ns | 320 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGT300H60G | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.19 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 175 °C | -40 °C | 雪崩 额定 | 1.15 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 12 | R-XUFM-X12 | 不合格 | 全桥 | 1.15 | ISOLATED | 1150 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 430 A | 350 µA | 600 V | 24 nF | 1.8V @ 15V, 300A | 430 A | 430 | 沟渠现场停车 | 600 V | 无 | 24 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 75A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X25 | 三相逆变器 | ISOLATED | 385W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 4.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP40R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 24 | SILICON | 7 | 55A | -40°C~125°C | 2013 | no | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UPPER | WIRE | 未说明 | 未说明 | 24 | 不合格 | NPN | 三相逆变器 | 200W | ISOLATED | 210W | 40A | 电源控制 | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1200V | 140 ns | 2.3V @ 15V, 40A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R06ME3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2905 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 1.9V | 2 | -40°C~150°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 11 | 2 Independent | Dual | 1.65kW | ISOLATED | 1650W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 700A | 5mA | 220 ns | 1.9V @ 15V, 600A | 805 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 39nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT150GN60JDQ4 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | ISOTOP® | 1.5 V | 220 A | 600 nA | 微芯片技术 | 1.058219 oz | Tube | 220 A | APT150 | 活跃 | Details | 600 V | 536 W | - 55 C | + 175 C | 30 V | 底座安装 | 1 | ISOTOP | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 536 | 536 W | Standard | - 55 C to + 175 C | 50 µA | 600 V | 1.85V @ 15V, 150A | 220 | 沟渠现场停车 | 无 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL60DDA120T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 16 | SP3 | 1.85 V | 80 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 280 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 5.783519 oz | Bulk | 80 A | APTGL60 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 280 W | Dual | Dual | 280 W | Standard | 1.2 kV | 80 A | 250 µA | 1200 V | 2.77 nF | 2.25V @ 15V, 50A | 80 | 沟渠现场停车 | 有 | 2.77 nF @ 25 V | IGBT硅模块 |
FF300R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R12ME4AB11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,878.213247
F3L300R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,408.555192
FS820R08A6P2LBBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT150GN120JDQ4
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
655.352822
FS25R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
230.504777
FF1400R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,936.060953
FD200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
986.851088
IXDN55N120D1
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ600R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,360.341348
APTGT75SK120TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F475R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP75R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
841.609581
APTGT50X60T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
332.915586
FP25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1600R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
7,413.610509
APTGT300H60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP40R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R06ME3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,644.098867
APT150GN60JDQ4
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL60DDA120T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
