IXDN55N120D1
IXDN55N120D1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

IXYS IXDN55N120D1

  • 收藏
  • 对比

型号

IXDN55N120D1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXDN55N120D1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 4-Pin SOT-227B

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
IXDN55N120D1
IXDN55N120D1 IXYS Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 4-Pin SOT-227B

请发送询价,我们将立即回复。

库存:1000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXDN55N120D1详情

IXYS IXDN55N120D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Screw, Surface Mount

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • 质量

    38.000013g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.3V

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    500 ns

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 已出版

    2007

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel (Ni)

  • 附加功能

    UL 认证

  • 最大功率耗散

    450W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 引脚数量

    4

  • 配置

    Single

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    100 ns

  • 功率 - 最大

    450W

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    100A

  • 最大集极截止电流

    3.8mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 输入电容

    3.3nF

  • 接通时间

    170 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.8V @ 15V, 55A

  • 关断时间-标准值(toff)

    570 ns

  • IGBT类型

    NPT

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    3.3nF @ 25V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • 高度

    9.6mm

  • 长度

    38.2mm

  • 宽度

    25.07mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: IXYS IXDN55N120D1.

IXDN55N120D1拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z