注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1657.419293
10
¥1563.603107
100
¥1475.09727
500
¥1391.601198
1000
¥1312.831323
Infineon Technologies FF600R06ME3BOSA1
- 收藏
- 对比
FF600R06ME3BOSA1
1211-FF600R06ME3BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MODULE VCES 600V 600A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF600R06ME3BOSA1详情
Infineon Technologies FF600R06ME3BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
11
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
11
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
11
配置
2 Independent
元素配置
Dual
功率耗散
1.65kW
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1650W
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
700A
最大集极截止电流
5mA
接通时间
220 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 600A
关断时间-标准值(toff)
805 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
39nF @ 25V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FF600R06ME3BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies










哦! 它是空的。