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首页 全部分类 2SC3647T-TD-E vs KSH112GTM

2SC3647T-TD-E备选型号: KSH112GTM

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 极性
  • 功率耗散
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    2SC3647T-TD-E
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin(3 Tab) PCP T/R
    13 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    TO-243AA
    表面贴装
    表面贴装
    3
    100V
    130mV
    120MHz
    1997
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    not_compliant
    Single
    500mW
    NPN
    100V
    2A
    100 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    400mV @ 100mA, 1A
    1MHz
    120V
    6V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KSH112GTM
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    -
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    100V
    2V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    -
    NPN - Darlington
    100V
    2A
    1000 @ 2A 3V
    20μA
    3V @ 40mA, 4A
    -
    100V
    5V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    100V
    2A
    KSH112
    NPN
    20W
    25MHz
    2A
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