2SC3647T-TD-E备选型号: KSH112GTM
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 极性
- 功率耗散
- 频率转换
- 连续集电极电流
- Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin(3 Tab) PCP T/RACTIVE (Last Updated: 6 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AA3100V130mV150°C TJTape & Reel (TR)1997e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.5Wnot_compliant3Single500mW120MHzNPN100V2A100 @ 100mA 5V100nA ICBO400mV @ 100mA, 1A1MHz120V6V1.5mm4.5mm2.5mmROHS3 Compliant无铅-------
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-100V2V150°C TJTape & Reel (TR)---Obsolete1 (Unlimited)--1.75W--Single--NPN - Darlington100V2A1000 @ 2A 3V20μA3V @ 40mA, 4A-100V5V---符合RoHS标准无铅100V2AKSH112NPN20W25MHz2A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DXTN07100BP5-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | PowerDI™ 5 | DIODES INC. DXTN07100BP5-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, POWERDI5, NPN, 100 V, 175 MHz, 3.2 W, 2 A, 200 hFE | 对比 |
![]() | KSH112GTM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | 对比 |
![]() | NZT605 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans Darlington NPN 110V 1.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |





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