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首页 全部分类 2SD1802T-TL-E vs MJD31CITU

2SD1802T-TL-E备选型号: MJD31CITU

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 频率
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 转换频率
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SD1802T-TL-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistor, 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single TP/TP-FA hFE = 200-400
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    50V
    190μV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2SD1802
    3
    Single
    150MHz
    NPN
    NPN
    50V
    3A
    200 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    500mV @ 100mA, 2A
    150MHz
    60V
    6V
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJD31CITU
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 100V 3A IPAK
    -
    -
    -
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    3
    100V
    1.2V
    150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.56W
    -
    -
    -
    MJD31
    -
    Single
    3MHz
    NPN
    NPN
    100V
    3A
    10 @ 3A 4V
    50μA
    1.2V @ 375mA, 3A
    -
    100V
    5V
    6.3mm
    6.8mm
    2.5mm
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    343.08mg
    SILICON
    3
    Tin (Sn)
    100V
    3A
    3MHz
    1.56W
    AMPLIFIER
    3MHz
    无
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