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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥20.433192
10
¥19.276595
100
¥18.185469
500
¥17.156098
1000
¥16.185005
ON Semiconductor 2SD1802T-TL-E
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- 对比
2SD1802T-TL-E
1807-2SD1802T-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Bipolar Transistor, 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single TP/TP-FA hFE = 200-400
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD1802T-TL-E详情
ON Semiconductor 2SD1802T-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
190μV
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
2SD1802
引脚数量
3
元素配置
Single
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 2A
最高频率
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
2.3mm
长度
6.5mm
宽度
5.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1802T-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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