2SD1816S-E备选型号: 2SD1816T-E
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 配置
- 功率 - 最大
- 频率转换
- Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN SingleACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 WeeksTin通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO3SILICON100V150°C TJBulk2012e6yes活跃1 (Unlimited)3EAR991Wnot_compliant180MHz2SD18163Single1WCOLLECTORSWITCHING130MHzNPNNPN100V4A70 @ 500mA 5V1μA ICBO400mV @ 200mA, 2A180MHz120V6VROHS3 Compliant无铅------
- Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100VLIFETIME (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks-通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO3SILICON100V150°C TJBulk-e6yesObsolete1 (Unlimited)3EAR991W--2SD18163--COLLECTORSWITCHING-NPNNPN100V4A200 @ 500mA 5V1μA ICBO400mV @ 200mA, 2A180MHz120V6V符合RoHS标准无铅Tin/Bismuth (Sn/Bi)8541.29.00.75SINGLESINGLE1W180MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD1816T-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V | 对比 |
![]() | 2SD1815T-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(3 Tab) TP Bag | 对比 |



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