ON Semiconductor 2SD1815T-E
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2SD1815T-E
1807-2SD1815T-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(3 Tab) TP Bag
1最小包装量--
2SD1815T-E详情
ON Semiconductor 2SD1815T-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150mV
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2016
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
130MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
2SD1815
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1W
增益带宽积
180MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 150mA, 1.5A
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
2SD1815T-E拓展信息
ON Semiconductor
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