ON Semiconductor 2SD1816T-E
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2SD1816T-E
1807-2SD1816T-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
1最小包装量--
2SD1816T-E详情
ON Semiconductor 2SD1816T-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Number of Elements
1
hFEMin
70
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
HTS代码
8541.29.00.75
最大功率耗散
1W
端子位置
SINGLE
基本部件号
2SD1816
引脚数量
3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 200mA, 2A
转换频率
180MHz
频率转换
180MHz
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
2SD1816T-E拓展信息
ON Semiconductor
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