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价格梯度

内地含税价

1

￥7.626528
10

￥7.194838
100

￥6.787579
500

￥6.403384
1000

￥6.040922

ON Semiconductor 2SD1816S-E

Name: 2SD1816S-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-2SD1816S-E
Price: 7.63 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SD1816S-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2SD1816S-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single

起订量

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2SD1816S-E ON Semiconductor Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single

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2SD1816S-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2SD1816S-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

2 Weeks
触点镀层

Tin
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装

NO
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Bulk
已出版

2012
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

1W
Reach合规守则

not_compliant
频率

180MHz
基本部件号

2SD1816
引脚数量

3
元素配置

Single
功率耗散

1W
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

SWITCHING
增益带宽积

130MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

100V
最大集电极电流

4A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 500mA 5V
最大集极截止电流

1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 200mA, 2A
转换频率

180MHz
集电极基极电压(VCBO)

120V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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2SD1816S-E拓展信息

热销零件