2SJ360(F)备选型号: BSP315PL6327HTSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET P-CH 60V 1A SC-62表面贴装表面贴装TO-243AA4SILICON1A Ta150°C TJBulk2009Obsolete1 (Unlimited)3FLATR-PSSO-F3Single增强型MOSFET1.5WDRAINP-ChannelSWITCHING730m Ω @ 500mA, 10V2V @ 1mA155pF @ 10V6.5nC @ 10V17ns60V±20V20 ns1A20V1A-60V无符合RoHS标准无铅-------
- Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4-1.17A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999Obsolete1 (Unlimited)-----1.8W-P-Channel-800mOhm @ 1.17A, 10V2V @ 160μA160pF @ 25V7.8nC @ 10V9ns60V±20V19 ns1.17A20V--无符合RoHS标准-PG-SOT223-4SIPMOS®150°C-55°C24 ns160pF800 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXMN6A07F Series 60 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | 对比 |
![]() | BSP315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |




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