2SJ360(F)备选型号: BSP315PL6327HTSA1

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    SILICON
    1A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    FLAT
    R-PSSO-F3
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    730m Ω @ 500mA, 10V
    2V @ 1mA
    155pF @ 10V
    6.5nC @ 10V
    17ns
    60V
    ±20V
    20 ns
    1A
    20V
    1A
    -60V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    1.17A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8W
    -
    P-Channel
    -
    800mOhm @ 1.17A, 10V
    2V @ 160μA
    160pF @ 25V
    7.8nC @ 10V
    9ns
    60V
    ±20V
    19 ns
    1.17A
    20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    PG-SOT223-4
    SIPMOS®
    150°C
    -55°C
    24 ns
    160pF
    800 mΩ
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