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首页 全部分类 2SJ360(F) vs ZXMN6A07FTA

2SJ360(F)备选型号: ZXMN6A07FTA

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  • 终端形式
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SJ360(F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    SILICON
    1A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    FLAT
    R-PSSO-F3
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    730m Ω @ 500mA, 10V
    2V @ 1mA
    155pF @ 10V
    6.5nC @ 10V
    17ns
    60V
    ±20V
    20 ns
    1A
    20V
    1A
    -60V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN6A07FTA
    Diodes Incorporated
    ZXMN6A07F Series 60 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    806mW
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    166pF @ 40V
    3.2nC @ 10V
    1.4ns
    -
    ±20V
    1.4 ns
    1.2A
    20V
    -
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    19 Weeks
    Tin
    7.994566mg
    e3
    yes
    SMD/SMT
    EAR99
    400mOhm
    60V
    DUAL
    260
    1.2A
    40
    3
    1
    1.8 ns
    3V
    60V
    150°C
    3 V
    1.1mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
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