Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PSSO-F3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

730m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

155pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.5nC @ 10V

上升时间

17ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

-60V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅