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首页 全部分类 2SJ360(F) vs ZXMHC6A07N8TC

2SJ360(F)备选型号: ZXMHC6A07N8TC

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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SJ360(F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    SILICON
    1A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    FLAT
    R-PSSO-F3
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    730m Ω @ 500mA, 10V
    2V @ 1mA
    155pF @ 10V
    6.5nC @ 10V
    17ns
    60V
    ±20V
    20 ns
    1A
    20V
    1A
    -60V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMHC6A07N8TC
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    1.39A 1.28A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.36W
    -
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    250m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    166pF @ 40V
    3.2nC @ 10V
    2.3ns
    60V
    -
    5.8 ns
    1.28A
    20V
    1.39A
    -60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    73.992255mg
    e3
    yes
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    870mW
    DUAL
    260
    40
    ZXMHC6A07
    8
    1.6 ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    0.25Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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