2SK3019TL备选型号: DMN63D8LDW-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- JESD-609代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 参考标准
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- MOSFET N-CH 30V .1A SOT41610 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装SC-75, SOT-4163SILICON100mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2005yes不用于新设计1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR9913Ohm30VDUAL鸥翼260100mA10330VSingle1A增强型MOSFET150mW15 nsN-ChannelSWITCHING8 Ω @ 10mA, 4V1.5V @ 100μA13pF @ 5V35ns±20V35 ns100mA1.5V20V30V30V1.5 V700μm1.6mm800μm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT36315 WeeksTin表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012yes活跃1 (Unlimited)6-EAR99---鸥翼260-40--Dual-增强型MOSFET300mW3.3 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING2.8 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 250μA22pF @ 25V3.2ns-6.3 ns220mA1.5V20V30V--1.1mm2.2mm1.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅6.010099mge3HIGH RELIABILITY300mWDMN63D8LAEC-Q101870nC @ 10V30V4.5OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | 对比 |
![]() | DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
![]() | PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | 对比 |





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