ROHM Semiconductor 2SK3019TL
- 收藏
- 对比
2SK3019TL
2078-2SK3019TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-75, SOT-416
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
--最小包装量--
2SK3019TL详情
ROHM Semiconductor 2SK3019TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
Turn Off Delay Time
80 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
13Ohm
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
电压
30V
元素配置
Single
电流
1A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150mW
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8 Ω @ 10mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13pF @ 5V
上升时间
35ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
100mA
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
栅源电压
1.5 V
高度
700μm
长度
1.6mm
宽度
800μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SK3019TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor











哦! 它是空的。