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首页 全部分类 2SK3019TL vs PMGD8000LN,115

2SK3019TL备选型号: PMGD8000LN,115

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    2SK3019TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
    10 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    SILICON
    100mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    13Ohm
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    10
    3
    30V
    Single
    1A
    增强型MOSFET
    150mW
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 10mA, 4V
    1.5V @ 100μA
    13pF @ 5V
    35ns
    ±20V
    35 ns
    100mA
    1.5V
    20V
    30V
    30V
    1.5 V
    700μm
    1.6mm
    800μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMGD8000LN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
    -
    -
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    SILICON
    125mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    6
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8 Ω @ 10mA, 4V
    1.5V @ 100μA
    18.5pF @ 5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    TrenchMOS™
    e3
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    8541.21.00.95
    R-PDSO-G6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    200mW
    0.35nC @ 4.5V
    30V
    0.125A
    8Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.2W
    逻辑电平门
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