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5HN01S-TL-E备选型号: BSS84DW-7-F
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- 晶体管元件材料
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- 无铅代码
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- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
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- 终端形式
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- 额定电流
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- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3表面贴装表面贴装SC-75, SOT-4163105 nsTape & Reel (TR)2006Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C110 ns11ns50V75 ns100mA20V5.8Ohm符合RoHS标准无铅----------------------------------------
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36362Tape & Reel (TR)2007活跃1 (Unlimited)--210 ns-50V-130mA20V-ROHS3 Compliant无铅15 WeeksTin6.010099mgSILICON-55°C~150°C TJe3yes6SMD/SMTEAR9910Ohm-50V300mW鸥翼260-130mA40BSS84DW6Dual增强型MOSFET300mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING10 Ω @ 100mA, 5V2V @ 1mA45pF @ 25V-1.6V0.13A-50V-50VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-1.6 V50V1mm2.2mm1.35mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SBSS84LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23 | 对比 |
| BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | 对比 |
 | BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | 对比 |
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