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5HN01S-TL-E备选型号: SBSS84LT1G
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- 通道数量
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- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3表面贴装表面贴装SC-75, SOT-4163105 nsTape & Reel (TR)2006Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C110 ns11ns50V75 ns100mA20V5.8Ohm符合RoHS标准无铅-------------------------
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33130mA TaTape & Reel (TR)2012不用于新设计1 (Unlimited)--13.6 ns9.7ns50V1.7 ns-130mA20V-ROHS3 Compliant无铅11 WeeksSILICON-55°C~150°C TJe3yes3EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET225mWP-ChannelSWITCHING10 Ω @ 100mA, 5V2V @ 250μA36pF @ 5V2.2nC @ 10V±20V-50V150°C1.11mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SBSS84LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23 | 对比 |
 | BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | 对比 |
 | BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | 对比 |
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