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首页 全部分类 5HP01C-TB-E vs BSS84PH6433XTMA1

5HP01C-TB-E备选型号: BSS84PH6433XTMA1

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    5HP01C-TB-E
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH Si 50V 0.07A 3-Pin CP
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    100 ns
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e6
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    150°C
    -55°C
    Single
    1
    增强型MOSFET
    13 ns
    10ns
    -50V
    P-CHANNEL
    150 ns
    -70mA
    20V
    0.07A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.25W
    22Ohm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSS84PH6433XTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    170mA Ta
    Cut Tape (CT)
    2002
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    6.7 ns
    16.2ns
    60V
    -
    20.5 ns
    -170mA
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    Tin
    3
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    SIPMOS®
    3
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    鸥翼
    Single
    360mW
    P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 170mA, 10V
    2V @ 20μA
    19pF @ 25V
    1.5nC @ 10V
    ±20V
    8Ohm
    -60V
    150°C
    1.1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无
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