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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.520807
10
¥1.434724
100
¥1.353511
500
¥1.276899
1000
¥1.20462
ON Semiconductor 5HP01C-TB-E
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- 对比
5HP01C-TB-E
1807-5HP01C-TB-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET P-CH Si 50V 0.07A 3-Pin CP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
5HP01C-TB-E详情
ON Semiconductor 5HP01C-TB-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Turn Off Delay Time
100 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
JESD-609代码
e6
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
配置
Single
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
13 ns
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
-50V
极性/通道类型
P-CHANNEL
下降时间(典型值)
150 ns
连续放电电流(ID)
-70mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.07A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.25W
漏源电阻
22Ohm
RoHS状态
符合RoHS标准
5HP01C-TB-E拓展信息
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