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5LN01M-TL-H备选型号: SBSS84LT1G
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N-CH 50V 100MA SC596 Weeks表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233100mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2011e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single150mW18 nsN-Channel7.8 Ω @ 50mA, 4V无卤素6.6pF @ 10V1.57nC @ 10V42ns±10V105 ns100mA10V0.1A50V无符合RoHS标准无铅------------
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-2311 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33130mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)3-225mW3.6 nsP-Channel10 Ω @ 100mA, 5V-36pF @ 5V2.2nC @ 10V9.7ns±20V1.7 ns-130mA20V--50V无ROHS3 Compliant无铅SILICON3DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETSWITCHING2V @ 250μA50V150°C1.11mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 | 对比 |
| 2N7002H-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 | 对比 |
| 2N7002H-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 | 对比 |
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