您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 AFT09MS007NT1 vs IRLML6346TRPBF

AFT09MS007NT1备选型号: IRLML6346TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 测试电流
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 增益
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • 操作温度
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 资历状况
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    AFT09MS007NT1
    NXP USA Inc.
    FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    10 Weeks
    PLD-1.5W
    YES
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.40
    260
    870MHz
    40
    Single
    100mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    15.2dB
    7.3W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    182W
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6346TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
    12 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3.4A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    Micro3
    HEXFET®
    -55°C~150°C TJ
    3
    80MOhm
    DUAL
    鸥翼
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    3.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    63m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    270pF @ 24V
    2.9nC @ 4.5V
    4ns
    ±12V
    4.9 ns
    3.4A
    800mV
    12V
    30V
    13 ns
    150°C
    800 mV
    1.4mm
    3.04mm
    1.12mm
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-VDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN 对比
DMP3130L-7 DMP3130L-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 对比