AO6415备选型号: BSL806NL6327HTSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOPSC-74, SOT-457表面贴装表面贴装61.25W Ta1.4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011不用于新设计1 (Unlimited)1.25WP-Channel75m Ω @ 3.3A, 10V620pF @ 10V6nC @ 4.5V20V±12V3.3A12VROHS3 Compliant-----------------------
- Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/RSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6表面贴装表面贴装-2--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)-2 N-Channel (Dual)57m Ω @ 2.3A, 2.5V259pF @ 10V1.7nC @ 2.5V20V-2.3A8V符合RoHS标准SILICONOptiMOS™yes6EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE500mW鸥翼BSL8066R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET7.5 ns750mV @ 11μA9.9ns3.7 ns0.057Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门28.6 pF无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | 对比 | |
| NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | 对比 | |
| BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |


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