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AO6415备选型号: PMN55LN,135
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- 描述:
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOPSC-74, SOT-457表面贴装表面贴装61.25W Ta1.4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011不用于新设计1 (Unlimited)1.25WP-Channel75m Ω @ 3.3A, 10V620pF @ 10V6nC @ 4.5V20V±12V3.3A12VROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOPSC-74, SOT-457-表面贴装64.1A Tc2V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997Obsolete1 (Unlimited)-N-Channel65m Ω @ 2.5A, 10V500pF @ 20V13.1nC @ 10V20V±15V--ROHS3 CompliantYESSILICONTrenchMOS™e36EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75DUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING4.1A0.065Ohm20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | 对比 |
 | NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | 对比 |
| BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |
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