AOD7N65备选型号: STD7N65M2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 650V 7A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-637A Tc-50°C~150°C TJDigi-Reel®2011活跃1 (Unlimited)178WN-Channel1.56 Ω @ 3.5A, 10V4.5V @ 250μA1180pF @ 25V24nC @ 10V650V±30V7A30VROHS3 Compliant无铅--------------
- STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-635A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)-活跃1 (Unlimited)-N-Channel1.15 Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA270pF @ 100V9nC @ 10V-±25V5A25VROHS3 Compliant-33.949996gMDmesh™EAR99未说明未说明STD718 ns20ns20 ns3V650V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V TO-252 | 对比 |
![]() | IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3 | 对比 |
![]() | IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A T/R | 对比 |




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