AON3611备选型号: RT1E050RPTR

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • Vgs(最大值)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    5A 6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    2.5W
    增强型MOSFET
    2.1W 2.5W
    N and P-Channel, Common Drain
    50m Ω @ 5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    170pF @ 15V
    10nC @ 10V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    6A
    6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    5A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    36m Ω @ 5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1300pF @ 10V
    13nC @ 5V
    30V
    -
    5A
    5A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    yes
    8
    EAR99
    DUAL
    260
    10
    8
    R-PDSO-F8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    ±20V
    0.036Ohm
    20A
    30V
    无铅
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