AON3611备选型号: RT1E050RPTR
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead85A 6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)2.5W增强型MOSFET2.1W 2.5WN and P-Channel, Common Drain50m Ω @ 5A, 10V2.5V @ 250μA170pF @ 15V10nC @ 10V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL6A6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET P-CH 30V 5A TSST810 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead-5A Ta150°C TJCut Tape (CT)2010不用于新设计1 (Unlimited)-增强型MOSFET-P-Channel36m Ω @ 5A, 10V2.5V @ 1mA1300pF @ 10V13nC @ 5V30V-5A5A--ROHS3 CompliantSILICONyes8EAR99DUAL260108R-PDSO-F8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODESWITCHING±20V0.036Ohm20A30V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHS4501NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET | 对比 |
| RP1E050RPTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SMD/SMT | MOSFET P-CH 30V 5A MPT6 | 对比 | |
![]() | NTHS4501NT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET | 对比 |



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