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首页 全部分类 AON7520 vs DMN32D2LFB4-7

AON7520备选型号: DMN32D2LFB4-7

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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AON7520
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 30V 50A 8-DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    48A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    AlphaMOS
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 20A, 10V
    1.2V @ 250μA
    4175pF @ 15V
    105nC @ 10V
    30V
    ±12V
    50A
    0.0031Ohm
    200A
    30V
    90 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN32D2LFB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    300mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 100mA, 4V
    1.2V @ 250μA
    39pF @ 3V
    -
    -
    ±10V
    300mA
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Gold
    e4
    yes
    EAR99
    1.2Ohm
    HIGH RELIABILITY
    260
    40
    3
    1
    Single
    350mW
    11 ns
    10V
    30V
    350μm
    1mm
    600μm
    无SVHC
    无
    无铅
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