AON7520备选型号: DMP32D4SFB-7B
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 50A 8-DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON48A Ta 50A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)AlphaMOS2011不用于新设计1 (Unlimited)5DUAL无铅S-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.8m Ω @ 20A, 10V1.2V @ 250μA4175pF @ 15V105nC @ 10V30V±12V50A0.0031Ohm200A30V90 mJROHS3 Compliant------------------
- MOSFET P-CH 30V 400MA SOT32316 Weeks表面贴装表面贴装3-UFDFN3-400mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2017活跃1 (Unlimited)-------P-Channel-2.4 Ω @ 200mA, 10V2.3V @ 250μA51pF @ 15V1.3nC @ 10V30V±20V500mA----ROHS3 Compliante4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)260301Single3.6 ns8.5ns20.2 ns20V0.5A-30V480μm1.08mm675μm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN | 对比 |
![]() | ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-WDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |
![]() | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | 对比 |





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