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APT30GP60BDQ1G备选型号: NGTB50N60S1WG
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-247通孔通孔TO-247-3SILICON600V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗600V463W30A3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard463W电源控制N-CHANNEL600V100A31 ns2.7V @ 15V, 30A165 nsPT90nC120A13ns/55ns260μJ (on), 250μJ (off)无符合RoHS标准无铅------------
ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins通孔通孔TO-247-3-600V-55°C~175°C TJTube-e3yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)--417W---Single-Standard417W--2V100A-2V @ 15V, 50A-Trench220nC200A100ns/237ns1.5mJ (on), 460μJ (off)-符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks31.8V2009未说明未说明94 ns21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | 对比 |
| NGTB50N60S1WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | 对比 |
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