Microsemi Corporation APT30GP60BDQ1G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

463W

额定电流

30A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

463W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

接通时间

31 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

165 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

90nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

13ns/55ns

开关能量

260μJ (on), 250μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅