APT30GP60LDLG备选型号: APT80GA60LD40
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 系列
- ECCN 代码
- JESD-30代码
- 反向恢复时间
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-264OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3SILICON600V-55°C~150°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗463W未说明未说明3不合格SingleCOLLECTORStandard463WMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.7V100A31 ns2.7V @ 15V, 30A164 nsPT90nC120A13ns/55ns260μJ (on), 250μJ (off)20V6V符合RoHS标准------------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264-通孔通孔TO-264-3, TO-264AA-SILICON600V-55°C~150°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗625W--3-SingleCOLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL600V143A52 ns2.5V @ 15V, 47A326 nsPT230nC240A23ns/158ns840μJ (on), 751μJ (off)--符合RoHS标准33 Weeks10.6g2VPOWER MOS 8™EAR99R-PSFM-T322 ns143A5.21mm26.49mm20.5mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL60N100BNTD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins | 对比 | |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 | |
![]() | APT80GA60LD40 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |




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