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APT30GP60LDLG备选型号: FGL60N100BNTD
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- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
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- ECCN 代码
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- 功率耗散
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
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- 长度
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- 辐射硬化
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-264OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3SILICON600V-55°C~150°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗463W未说明未说明3不合格SingleCOLLECTORStandard463WMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.7V100A31 ns2.7V @ 15V, 30A164 nsPT90nC120A13ns/55ns260μJ (on), 250μJ (off)20V6V符合RoHS标准-------------------
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 PinsACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3SILICON600V-55°C~150°C TJTube2017e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3哑光锡-180W----Single-Standard-电源控制-1kV60A460 ns2.9V @ 15V, 60A760 nsNPT和沟槽275nC120A140ns/630ns---ROHS3 Compliant4 Weeks6.756g1.5VEAR998541.29.00.951kV60ANPN180W320ns1.2 μs1000V1kV26mm20mm5mm无无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL60N100BNTD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins | 对比 |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 |
 | APT80GA60LD40 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
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