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APT30GP60LDLG备选型号: SGL160N60UFDTU
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-264OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3SILICON600V-55°C~150°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗463W未说明未说明3不合格SingleCOLLECTORStandard463WMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.7V100A31 ns2.7V @ 15V, 30A164 nsPT90nC120A13ns/55ns260μJ (on), 250μJ (off)20V6V符合RoHS标准---------------
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGL160N60UFDTU.IGBT Single Transistor, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 PinsACTIVE, NOT REC (Last Updated: 10 hours ago)通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3SILICON600V-55°C~150°C TJTube2014e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING250W----Single-Standard-MOTOR CONTROLN-CHANNEL600V160A150 ns2.6V @ 15V, 80A262 ns-345nC300A40ns/90ns2.5mJ (on), 1.76mJ (off)--ROHS3 Compliant6.756g2.1VEAR998541.29.00.95600V80A250W40 ns95 ns26mm20mm5mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL60N100BNTD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins | 对比 |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 |
 | APT80GA60LD40 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
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