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首页 全部分类 APT44GA60B vs IRG4PC50WPBF

APT44GA60B备选型号: IRG4PC50WPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT44GA60B
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 78A 337W TO-247
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    337W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    337W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    78A
    29 ns
    2.5V @ 15V, 26A
    208 ns
    PT
    128nC
    130A
    16ns/84ns
    409μJ (on), 258μJ (off)
    30V
    6V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PC50WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 55A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2000
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    低导通损耗
    200W
    -
    -
    Dual
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.3V
    55A
    74 ns
    2.3V @ 15V, 27A
    272 ns
    -
    180nC
    220A
    46ns/120ns
    80μJ (on), 320μJ (off)
    20V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    3
    38.000013g
    2.3V
    通孔
    EAR99
    600V
    SINGLE
    55A
    200W
    46 ns
    33ns
    TO-247AC
    86ns
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无铅
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