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首页 全部分类 APT44GA60B vs STGW30NC60KD

APT44GA60B备选型号: STGW30NC60KD

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT44GA60B
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 78A 337W TO-247
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    337W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    337W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    78A
    29 ns
    2.5V @ 15V, 26A
    208 ns
    PT
    128nC
    130A
    16ns/84ns
    409μJ (on), 258μJ (off)
    30V
    6V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60KD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 200W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    超快
    200W
    3
    -
    Single
    -
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    41 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    290 ns
    -
    96nC
    125A
    29ns/120ns
    350μJ (on), 435μJ (off)
    20V
    6.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    38.000013g
    EAR99
    STGW30
    29 ns
    40 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无铅
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