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首页 全部分类 APT50GP60B2DQ2G vs FGY75N60SMD

APT50GP60B2DQ2G备选型号: FGY75N60SMD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT50GP60B2DQ2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    600V
    625W
    150A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    55 ns
    2.7V @ 15V, 50A
    200 ns
    PT
    165nC
    190A
    19ns/85ns
    465μJ (on), 635μJ (off)
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGY75N60SMD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    -
    750W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    76 ns
    2.5V @ 15V, 75A
    161 ns
    场站
    248nC
    225A
    24ns/136ns
    2.3mJ (on), 770μJ (off)
    6.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    7.629g
    1.9V
    EAR99
    8541.29.00.95
    750W
    55 ns
    20V
    29ns
    20.32mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
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