APT50M80B2VRG备选型号: STY60NM50

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    58A Tc
    Tube
    POWER MOS V®
    2012
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    150°C
    -55°C
    FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    500V
    SINGLE
    58A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    625W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 29A, 10V
    4V @ 2.5mA
    8797pF @ 25V
    423nC @ 10V
    25ns
    23 ns
    58A
    30V
    0.08Ohm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    60A Tc
    Tube
    MDmesh™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    500V
    -
    60A
    3
    -
    增强型MOSFET
    560W
    -
    51 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    7500pF @ 25V
    266nC @ 10V
    58ns
    46 ns
    60A
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    4.535924g
    SILICON
    150°C TJ
    EAR99
    50mOhm
    STY60N
    Single
    ±30V
    4V
    500V
    240A
    6.35mm
    25.4mm
    6.35mm
    无SVHC
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