Microsemi Corporation APT50M80B2VRG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

64 ns

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

500V

端子位置

SINGLE

额定电流

58A

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8797pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

423nC @ 10V

上升时间

25ns

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

58A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅