STMicroelectronics STY60NK30Z

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

450W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

300V

额定电流

60A

基本部件号

STY60N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

450W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220nC @ 10V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

漏源击穿电压

300V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

高度

20.3mm

长度

15.9mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅