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首页 全部分类 APTC90H12SCTG vs BUT30V

APTC90H12SCTG备选型号: BUT30V

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • VCEsat-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTC90H12SCTG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 900V 30A 14-Pin Case SP-4
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    4
    SILICON
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    CoolMOS™
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    14
    不合格
    增强型MOSFET
    250W
    ISOLATED
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    120m Ω @ 26A, 10V
    3.5V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    270nC @ 10V
    900V
    30A
    20V
    0.12Ohm
    75A
    900V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
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  • STMicroelectronics
    BUT30V
    STMicroelectronics
    TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    200V
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    3
    -
    -
    250W
    ISOLATED
    -
    SWITCHING
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    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    Nickel
    700mV
    125V
    100A
    BUT30
    R-XUFM-X3
    Single
    NPN
    NPN
    125V
    100A
    27 @ 100A 5V
    900mV @ 10A, 100A
    200V
    7V
    0.9 V
    2200ns
    200ns
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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