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首页 全部分类 APTC90H12SCTG vs FS50R12KT4B15BOSA1

APTC90H12SCTG备选型号: FS50R12KT4B15BOSA1

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTC90H12SCTG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 900V 30A 14-Pin Case SP-4
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    4
    SILICON
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    CoolMOS™
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    14
    不合格
    增强型MOSFET
    250W
    ISOLATED
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    120m Ω @ 26A, 10V
    3.5V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    270nC @ 10V
    900V
    30A
    20V
    0.12Ohm
    75A
    900V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    FS50R12KT4B15BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 50A 280W
    Screw
    底座安装
    Module
    28
    SILICON
    6
    -40°C~150°C
    -
    EconoPACK™2
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    UL认证
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    -
    -
    ISOLATED
    -
    电源控制
    -
    -
    -
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    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    280W
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    50A
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 50A
    490 ns
    沟渠现场停车
    有
    2.8nF @ 25V
    无铅
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