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首页 全部分类 APTGL475A120D3G vs FF300R12KE3HOSA1

APTGL475A120D3G备选型号: FF300R12KE3HOSA1

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  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 功率耗散
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APTGL475A120D3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    D-3 Module
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    2.08kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    11
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    200 ns
    2080W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    610A
    5mA
    1200V
    24.6nF
    270 ns
    2.2V @ 15V, 400A
    580 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    24.6nF @ 25V
    2.2 V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF300R12KE3HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~125°C
    2002
    活跃
    不适用
    7
    EAR99
    1.45kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    -
    1450W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    480A
    5mA
    1200V
    -
    400 ns
    2.15V @ 15V, 300A
    830 ns
    沟渠现场停车
    无
    -
    21nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    -
    Tin
    1.7V
    yes
    1.45kW
    30.9mm
    106.4mm
    61.4mm
    无SVHC
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