您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APTGL475A120D3G vs FZ400R12KE3HOSA1

APTGL475A120D3G备选型号: FZ400R12KE3HOSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APTGL475A120D3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    D-3 Module
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    2.08kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    11
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    200 ns
    2080W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    610A
    5mA
    1200V
    24.6nF
    270 ns
    2.2V @ 15V, 400A
    580 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    24.6nF @ 25V
    2.2 V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FZ400R12KE3HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 650A 2250W
    14 Weeks
    Panel, Screw
    底座安装
    Module
    4
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~125°C
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.25kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    5
    Single
    -
    ISOLATED
    -
    2250W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    650A
    5mA
    1200V
    -
    400 ns
    2.15V @ 15V, 400A
    830 ns
    -
    无
    -
    28nF @ 25V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    1.7V
    yes
    R-XUFM-X5
    2.25kW
    36.5mm
    106.4mm
    61.4mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APTGL475U120D4G APTGL475U120D4G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 D4 IGBT MODULE 1200V 610A 2082W D4 对比
FF300R12KE3HOSA1 FF300R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module 对比
FZ400R12KE3HOSA1 FZ400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 650A 2250W 对比