ATF-36163-BLKG备选型号: BF1203,115

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 噪声图
  • 栅源电压
  • 电压-测试
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 源Url状态检查日期
  • Broadcom Limited
    AVAGO TECHNOLOGIES ATF-36163-BLKG RF FET Transistor, High Linearity, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -3.5V
    Bulk
    2005
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -65°C
    低噪音
    8541.21.00.75
    3V
    180mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    40mA
    4GHz
    未说明
    不合格
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    180mW
    15mA
    AMPLIFIER
    3V
    N-CHANNEL
    pHEMT FET
    40mA
    -3V
    15.8dB
    0.04A
    3V
    3V
    5dBm
    高电子迁移率
    0.6dB
    -3 V
    2V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
    -
    -
    -
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    10V
    Tape & Reel (TR)
    2000
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30mA
    400MHz
    -
    -
    -
    -
    -
    15mA
    -
    -
    -
    N-Channel Dual Gate
    -
    -
    27dB
    -
    -
    -
    -
    -
    1dB
    -
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    BF1203
    6
    2013-06-14 00:00:00
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