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首页 全部分类 ATF-36163-BLKG vs BSS8402DW-7-F

ATF-36163-BLKG备选型号: BSS8402DW-7-F

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  • 阈值电压
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
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  • Broadcom Limited
    ATF-36163-BLKG
    Broadcom Limited
    AVAGO TECHNOLOGIES ATF-36163-BLKG RF FET Transistor, High Linearity, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -3.5V
    Bulk
    2005
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -65°C
    低噪音
    8541.21.00.75
    3V
    180mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    40mA
    4GHz
    未说明
    不合格
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    180mW
    15mA
    AMPLIFIER
    3V
    N-CHANNEL
    pHEMT FET
    40mA
    -3V
    15.8dB
    0.04A
    3V
    3V
    5dBm
    高电子迁移率
    0.6dB
    -3 V
    2V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BSS8402DW-7-F
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    115mA 130mA
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    -
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    -
    200mW
    -
    鸥翼
    260
    115mA
    -
    40
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    200mW
    -
    SWITCHING
    60V 50V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    -
    115mA
    20V
    -
    0.13A
    60V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    2.5 V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    6.010099mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    yes
    10Ohm
    BSS8402DW
    6
    2
    Dual
    10 ns
    N and P-Channel
    7.5 Ω @ 50mA, 5V
    2.5V @ 250μA
    50pF @ 25V
    2.5V
    逻辑电平门
    5 pF
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
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