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首页 全部分类 ATF-36163-BLKG vs DMN2004DWK-7

ATF-36163-BLKG备选型号: DMN2004DWK-7

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  • 晶体管类型
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  • 栅源电压
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Broadcom Limited
    ATF-36163-BLKG
    Broadcom Limited
    AVAGO TECHNOLOGIES ATF-36163-BLKG RF FET Transistor, High Linearity, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -3.5V
    Bulk
    2005
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -65°C
    低噪音
    8541.21.00.75
    3V
    180mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    40mA
    4GHz
    未说明
    不合格
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    180mW
    15mA
    AMPLIFIER
    3V
    N-CHANNEL
    pHEMT FET
    40mA
    -3V
    15.8dB
    0.04A
    3V
    3V
    5dBm
    高电子迁移率
    0.6dB
    -3 V
    2V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2004DWK-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dual N-Channel
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    2
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    -
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    20V
    200mW
    -
    鸥翼
    260
    540mA
    -
    40
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    200mW
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    540mA
    8V
    -
    0.54A
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    6.010099mg
    SILICON
    -65°C~150°C TJ
    yes
    550mOhm
    Matte Tin (Sn)
    DMN2004DWK
    6
    Dual
    4.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    550m Ω @ 540mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    150pF @ 16V
    1V
    20V
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
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