Broadcom Limited ATF-36163-BLKG
- 收藏
- 对比
ATF-36163-BLKG
354-ATF-36163-BLKG
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

AVAGO TECHNOLOGIES ATF-36163-BLKG RF FET Transistor, High Linearity, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363
1最小包装量--
ATF-36163-BLKG详情
Broadcom Limited ATF-36163-BLKG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-3.5V
Number of Elements
1
包装
Bulk
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
3V
最大功率耗散
180mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
40mA
频率
4GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
180mW
测试电流
15mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
3V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
pHEMT FET
连续放电电流(ID)
40mA
栅极至源极电压(Vgs)
-3V
增益
15.8dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.04A
双电源电压
3V
DS 击穿电压-最小值
3V
功率 - 输出
5dBm
场效应管技术
高电子迁移率
噪声图
0.6dB
栅源电压
-3 V
电压-测试
2V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ATF-36163-BLKG拓展信息
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited
Broadcom Limited









哦! 它是空的。